產(chǎn)品詳情
簡(jiǎn)單介紹：
PM25RSK120 25A/1200V/7U
詳情介紹：
| 數據列表 | PM25RSK120 |
|---|---|
| 標準包裝 | 2 |
| 類(lèi)別 | 半導體模塊 |
| 家庭 | 功率驅動(dòng)器 |
| 系列 | Intellimod™ |
| 類(lèi)型 | IGBT |
| 配置 | 三相反相器 |
| 電流 | 25A |
| 電壓 | 1200V |
| 電壓 - 隔離 | 2500Vrms |
| 封裝/外殼 | 模塊 |
IGBT的全名是(InsulatedGateBipolarTransistor)絕緣柵雙極晶體管是MOS結構雙極器件，屬于具有功率MOSFET的高速性能與雙極的低電阻性能的功率器件。IGBT的應用范圍一般都在耐壓600V以上、電流10A以上、頻率為1kHz以上的區域。
多使用在工業(yè)用電機、民用小容量電機、變換器（逆變器）、照像機的頻閃觀(guān)測器、感應加熱（InductionHeating）電飯鍋等領(lǐng)域。根據封裝的不同，IGBT大致分為兩種類(lèi)型，一種是模壓樹(shù)脂密封的三端單體封裝型，從TO－3P到小型表面貼裝都已形成系列。另一種是把IGBT與FWD （FleeWheelDiode）成對地（2或6組）封裝起來(lái)的模塊型，主要應用在工業(yè)上。模塊的類(lèi)型根據用途的不同，分為多種形狀及封裝方式，都已形成系列化。
IGBT是強電流、高壓應用和快速終端設備用垂直功率MOSFET的自然進(jìn)化。MOSFET由于實(shí)現一個(gè)較高的擊穿電壓BVDSS需要一個(gè)源漏通道，而這個(gè)通道卻具有很高的電阻率，因而造成功率MOSFET具有RDS(on)數值高的特征，IGBT消除了現有功率MOSFET的這些主要缺點(diǎn)。雖然*新一代功率MOSFET器件大幅度改進(jìn)了RDS(on)特性，但是在高電平時(shí)，功率導通損耗仍然要比IGBT 高出很多。IGBT較低的壓降，轉換成一個(gè)低VCE(sat)的能力，以及IGBT的結構，與同一個(gè)標準雙極器件相比，可支持更高電流密度，并簡(jiǎn)化 IGBT驅動(dòng)器的原理圖。
供應三菱IGBT CM300HA-12H模塊，三菱CM300HA-12H