新聞詳情
三菱IGBT的發展
日期：2025-08-01 00:44
瀏覽次數：236
摘要：
隨著關鍵技術的突破以及需求的發展，早期的小功率、低頻、 eupec晶閘管 發展到了現在的超大功率、高頻、全控型元件。由于全控型元件可以控制開通和關斷，大大提高了開關控制的靈活性。自70年代后期以來，可關斷晶閘管(GTO)、電力晶體管(GTR或BJT)及其模塊相繼實用化。此后各種高頻全控型元件不斷問世，并得到迅速發展。這些元件主要有電力場控晶體管(即功率MOSFET)、絕緣柵極雙極晶體管(IGT或IGBT)、靜電感應晶體管(SIT)和靜電感應晶閘管(SITH)等。
電力電子元件的新發展
現代電力電子元件仍然在向大功率、易驅動和高頻化方向發展。電力電子模塊化是其向高功率密度發展的重要一步。當前電力電子元件的主要發展成果如下：
IGBT：絕緣柵雙極晶體管
三菱IGBT模塊 是一種N溝道增強型場控(電壓)復合元件，如圖1所示。它屬于少子元件類，兼有功率MOSFET和雙極性元件的優點：輸入阻抗高、開關速度快、**工作區寬、飽和壓降低（甚至接近GTR的飽和壓降）、耐壓高、電流大。IGBT有望用于直流電壓為1500V的高壓變流系統中。
目前，已研制出的高功率溝槽柵結構IGBT(Trench IGBT)是高耐壓大電流IGBT元件通常采用的結構，它避免了模塊內部大量的電極引線，減小了引線電感，提高了可靠性。其缺點是芯片面積利用率下降。這種平板壓接結構的高壓大電流IGBT模塊將在高壓、大功率變流器中獲得廣泛應用。