西門(mén)康IGBT的使用特性說(shuō)明

日期：2025-06-05 05:57

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摘要：

西門(mén)康IGBT是以GTR為主導元件，MOSFET為驅動(dòng)元件的達林頓結構的復合器件。其外部有三個(gè)電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發(fā)射極。

在IGBT使用過(guò)程中，可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實(shí)現對IGBT導通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。

1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時(shí)，MOSFET內溝道消失，IGBT呈關(guān)斷狀態(tài)。

2）當集-射極電壓UCE＜0時(shí)，J3的PN結處于反偏，IGBT呈反向阻斷狀態(tài)。

3）當集-射極電壓UCE＞0時(shí)，分兩種情況：

①若柵-射極電壓UGE＜Uth，溝道不能形成，IGBT呈正向阻斷狀態(tài)。

②若柵-射極電壓UGE＞Uth ，柵極溝道形成，IGBT呈導通狀態(tài)（正常工作）。此時(shí)，空穴從P+區注入到N基區進(jìn)行電導調制，減少N基區電阻RN的值，使IGBT通態(tài)壓降降低。