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三菱IGBT功率模塊的功能與類(lèi)別
日期：2025-06-05 09:13
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摘要：
三菱IGBT功率模塊是指采用lC驅動(dòng)，利用*新的封裝技術(shù)將IGBT與驅動(dòng)電路、控制電路和保護電路高度集成在一起的模塊。其類(lèi)別從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.
三菱IGBT功率模塊的驅動(dòng)電路元件較少，在短路故障時(shí)只要結溫不超過(guò)**工作范圍，驅動(dòng)電路仍可以繼續**工作。IGBT在大電流時(shí)具有退飽和特性，可以在一定程度上保護器件過(guò)流，其它的電力電子開(kāi)關(guān)器件則都不具備這種特性?？傊?，IGBT功率模塊具有驅動(dòng)簡(jiǎn)單、過(guò)壓過(guò)流保護實(shí)現容易、開(kāi)關(guān)頻率高以及不需要緩沖電路等特性，非常適合應用在中壓驅動(dòng)領(lǐng)域。常見(jiàn)的IGBT功率模塊的額定電壓等級有600V、1200V、1700V、2500V、3300V和4500V，額定電流則可以達到2400A。雖然有更高電壓等級的IGBT器件，但其電流等級卻大為下降。例如，額定電壓為6500V的IGBT器件的額定電流僅為650A。額定功率*大的IGBT電壓電流參數為3600V/1700A和4500V/1200A。
各中類(lèi)別型號的IGBT功率模塊已經(jīng)運用到各中電子元件中，IPM除用于變頻調速外，60OA/2000V的IPM已用于電力機車(chē)VWVF逆變器。平面低電感封裝技術(shù)是大電流IGBT模塊為有源器件的PEBB，用于艦艇上的導彈發(fā)射裝置。IPEM采用共燒瓷片多芯片模塊技術(shù)組裝PEBB，大大降低電路接線(xiàn)電感，提高系統效率，現已開(kāi)發(fā)成功**代IPEM，其中所有的無(wú)源元件以埋層方式掩埋在襯底中。智能化、模塊化的模塊也成為IGBT發(fā)展熱點(diǎn)。