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供應BSM50GB120DLC模塊
日期：2025-06-07 12:26
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摘要：供應BSM50GB120DLC模塊
型號:BSM50GB120DLC
廠(chǎng)家:歐佩克（EUPEC）
規格：電流 50A
電壓:1200V
單元:2
BSM50GB120DLC 是西門(mén)子2單元、50A、1200V 的 DLC系列IGBT模塊。主要是強電流、高壓應用,用于變頻器、UPS電源領(lǐng)域,西門(mén)子電力半導體器件廣泛應用于發(fā)電、輸配電、電氣傳動(dòng)、牽引、電力系統，家用電器、新能源、汽車(chē)電子等電力電子設備中。
Infineon IGBT采用NPT-IGBT工藝，600V“HS”系列硬開(kāi)關(guān)頻率高達100KHz， 1200V“SKW”系列硬開(kāi)關(guān)頻率可達40KHz。溫升低，有較大的血崩耐量。第三代IGBT，采...
供應BSM50GB120DLC模塊
型號:BSM50GB120DLC
廠(chǎng)家:歐佩克（EUPEC）
規格：電流 50A
電壓:1200V
單元:2
BSM50GB120DLC 是西門(mén)子2單元、50A、1200V 的 DLC系列IGBT模塊。主要是強電流、高壓應用,用于變頻器、UPS電源領(lǐng)域,西門(mén)子電力半導體器件廣泛應用于發(fā)電、輸配電、電氣傳動(dòng)、牽引、電力系統，家用電器、新能源、汽車(chē)電子等電力電子設備中。
Infineon IGBT采用NPT-IGBT工藝，600V“HS”系列硬開(kāi)關(guān)頻率高達100KHz， 1200V“SKW”系列硬開(kāi)關(guān)頻率可達40KHz。溫升低，有較大的血崩耐量。第三代IGBT，采用溝槽柵+電場(chǎng)終止層（Fieldstop）技術(shù)，具有較低的飽和壓降，低達1.50V 。
型號:BSM50GB120DLC
廠(chǎng)家:歐佩克（EUPEC）
規格：電流 50A
電壓:1200V
單元:2
BSM50GB120DLC 是西門(mén)子2單元、50A、1200V 的 DLC系列IGBT模塊。主要是強電流、高壓應用,用于變頻器、UPS電源領(lǐng)域,西門(mén)子電力半導體器件廣泛應用于發(fā)電、輸配電、電氣傳動(dòng)、牽引、電力系統，家用電器、新能源、汽車(chē)電子等電力電子設備中。
Infineon IGBT采用NPT-IGBT工藝，600V“HS”系列硬開(kāi)關(guān)頻率高達100KHz， 1200V“SKW”系列硬開(kāi)關(guān)頻率可達40KHz。溫升低，有較大的血崩耐量。第三代IGBT，采用溝槽柵+電場(chǎng)終止層（Fieldstop）技術(shù)，具有較低的飽和壓降，低達1.50V 。