英飛凌原裝FF800R17KE3 FZ800R33KF2C 大功率高耐壓IGBT模塊

EUPEC原裝FF800R17KE3 FZ800R33KF2C 大功率高耐壓IGBT模塊
型號:FF800R17KE3 FZ800R33KF2C
廠家:EUPEC/英飛凌
電流:800A
電壓:1700V/3300V
封裝及工藝:IGBT

       運用這個全新的模塊，用戶可設計出能夠在嚴酷的環境下正常工作，**滿足大負荷與溫度循環要求的高效功率變頻器。全新模塊擴展了英飛凌上一代IHM-A模塊的功能和規格，實現了熱阻性能的改善和負荷循環能力的提高，并將運行溫度提高至+150℃。

與同等尺寸的傳統變頻器相比，FF800R17KE3基于這種全新高功率模塊設計的變頻器的功率可提高50%。同時，因為IHM/IHV B模塊優良的熱性能，運用他設計的變頻器的輸出電流在典型的工礦下可以使得輸出電流的能力提高50% 。這種全新模塊的*大運行溫度也從先前+125℃上升至+150℃。英飛凌還將這種模塊的*小貯存溫度從先前-40℃降低至-55℃。

英飛凌FZ800R33KF2C已經交付了100多萬套IHM-A模塊，市場份額高達30%左右。IHM/IHV B模塊與成熟IHM-A系列產品完全兼容，能夠讓用戶在不改變產品結構的情況下，進行更新換代。

除改進熱阻性能外，FF800R17KE3全新模塊還可滿足一些要求非?？量痰膽脤δ陀眯耘c可靠性的要求。在啟動與停止階段，這些牽引驅動裝置的溫度有很大的波動。

HM/IHV B模塊的電流能夠做到3,600A以上，電壓級別包括：1200V、1700V和3300V。1200V模塊中使用的晶體管基于全新英飛凌IGBT4技術。1700V和3300V模塊中的晶體管使用基于英飛凌TrenchStop/電場截止工藝的IGBT3技術，與先前的模塊相比，大幅度削減了正向導通電壓。

這些新型模塊符合RoHS要求，并滿足NFF16-101和16-102的防火要求。它們都在德國Warstein生產，IGBT和二極管芯片在奧地利菲拉赫制造。