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三菱IGBT特點(diǎn)用途
日期：2025-06-07 21:58
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摘要：
三菱IGBT：
a)采用*新的CSTBT硅片技術(shù)；
b)低飽和壓降Vce(sat)；低開(kāi)通損耗Eon；低關(guān)斷損耗Eoff高短路承受力（不需要RTC）；
c)降低柵極電容，柵極驅動(dòng)功率接**板型IGBT；
d)采用AlN絕緣基層形成優(yōu)異的熱阻特性，比歐洲的溝槽型IGBT具有更低的熱阻；
e)比歐洲的溝槽型IGBT具有更低的成本結構，按IEC747-15標準定義溫度和熱阻。
三菱IGBT用途: 低成本設計，適合中、低端，大功率場(chǎng)效應原件，用途很光的。
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