文章詳情
三菱IGBT適用的領(lǐng)域
日期：2025-06-07 06:17
瀏覽次數：1113
摘要：
三菱IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動(dòng)電流較大；MOSFET驅動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅動(dòng)功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。
尊敬的客戶(hù)：
本公司有富士IGBT、西門(mén)康IGBT 、IXYS模塊產(chǎn)品，您可以通過(guò)網(wǎng)頁(yè)撥打本公司的服務(wù)專(zhuān)線(xiàn)了解更多產(chǎn)品的詳細信息，至善至美的服務(wù)是我們永無(wú)止境的追求，歡迎新老客戶(hù)放心選購自己心儀產(chǎn)品，我們將竭誠為您服務(wù)！