特價(jià)供應原裝英飛凌模塊FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT3

英飛凌原裝FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT3 1200V IGBT模塊*新到貨

英飛凌

原裝FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT3 1200V IGBT模塊*新到貨
型號:FF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3、FF300R12KT3
廠(chǎng)家:EUPEC/英飛凌
 

EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3均屬于EUPEC第三代IGBT有兩種系列。后綴為“KE3”的址是低頻系列，其*佳開(kāi)關(guān)頻率為lK一8KHz。1200V IGBT飽干和壓降VcEisal=1．7V，*適合變頻器應用。在變頻器應用中，中國已完成用“KE3”系列代替“DLC”系列的工作。在“KE3”的基礎上，采用淺溝槽和優(yōu)化“FS”層離子注入濃度、厚度以及集電區摻朵濃度等，又開(kāi)發(fā)出高頻系州，以后綴“KT3”為標志。EUPEC“KT3”系弄在飽和壓降不增加的情況下開(kāi)關(guān)頻率提高到15KHz，*適合于8KHz一15KHz的應川場(chǎng)合。EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3在開(kāi)關(guān)頻率FK≥8KHz應用中,“KT3”比“KE3”開(kāi)關(guān)損耗降低20％左右。Infineon／EUPEC 600V系列IGBT3后珊為“KE3”，是高頻IGBT模塊，開(kāi)關(guān)頻率可達到20KHz，飽和壓降為1.50V，*高工作結溫可高達175℃ Infineon／EUPEC第三代IGBT，采用了溝槽柵及電場(chǎng)終止層(FS)兩種新技術(shù)，EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3帶來(lái)了IGBT芯片厚度大大減薄。傳統1200V NPT—IGBT芯片厚度約為200gm，IGBT3后綴為“KE3”的，厚度為140~tm左右；后綴為“KT3”芯片厚度進(jìn)一步減薄到120um左右；600V IGBT3其芯片厚度僅為70~tm左右，這樣薄的晶片，加工工藝難度較大。lnfineon在超薄晶片加工技術(shù)方面在全球處于**地位。 Infineon／EUPEC IGBT3采用了當今IGBT的*新技術(shù)(溝槽柵+電場(chǎng)終止層)，EFF200R12KE3、FF200R12KT3、FF300R12KE3和FF300R12KT3是目前*優(yōu)異的IGBT產(chǎn)品，有些電力半導體廠(chǎng)家稱(chēng)這些技術(shù)為第五代，甚至稱(chēng)之為第八代IGBT技術(shù)。Infineon／EUPEC稱(chēng)之為第三代，正如在其型號中的電流標稱(chēng)一樣，模塊總足按Tc=80℃來(lái)標稱(chēng)，讓產(chǎn)品來(lái)說(shuō)話(huà)，讓用戶(hù)來(lái)評判