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富士IGBT模塊
日期：2025-06-06 06:25
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摘要：在富士IGBT模塊的使用過(guò)程中，有時(shí)候需要將兩塊IGBT模塊進(jìn)行并聯(lián)操作，那么這樣做有什么好處呢，接下來(lái)小編簡(jiǎn)單為大家介紹一下。
1、降成本的需求。以?xún)牲c(diǎn)平為例，直接購買(mǎi)成品模塊固然可提高產(chǎn)品穩定性，但是相應的成本增加不是一般公司能承受的，使用多模塊并聯(lián)可明顯降低成本。一般電流越大的igbt價(jià)格越高，且可供選擇的供應商越少，從而使得價(jià)格居高不下。相反，低電流的igbt廠(chǎng)商較多，量產(chǎn)時(shí)間久，價(jià)格較低。
2、與富士IGBT模塊配套的驅動(dòng)可能還不支持大功率穩定運行，或者說(shuō)開(kāi)發(fā)人員習慣使用成熟的產(chǎn)品。成熟的驅動(dòng)及igbt...
在富士IGBT模塊的使用過(guò)程中，有時(shí)候需要將兩塊IGBT模塊進(jìn)行并聯(lián)操作，那么這樣做有什么好處呢，接下來(lái)小編簡(jiǎn)單為大家介紹一下。
1、降成本的需求。以?xún)牲c(diǎn)平為例，直接購買(mǎi)成品模塊固然可提高產(chǎn)品穩定性，但是相應的成本增加不是一般公司能承受的，使用多模塊并聯(lián)可明顯降低成本。一般電流越大的igbt價(jià)格越高，且可供選擇的供應商越少，從而使得價(jià)格居高不下。相反，低電流的igbt廠(chǎng)商較多，量產(chǎn)時(shí)間久，價(jià)格較低。
2、與富士IGBT模塊配套的驅動(dòng)可能還不支持大功率穩定運行，或者說(shuō)開(kāi)發(fā)人員習慣使用成熟的產(chǎn)品。成熟的驅動(dòng)及igbt廠(chǎng)商將會(huì )提供更多的技術(shù)支持。
3、并聯(lián)技術(shù)已成為一個(gè)發(fā)展趨勢，使用并聯(lián)技術(shù)（不僅僅是igbt）可以使得產(chǎn)品做的更小，功率密度更高。
4、避免**供應商或增加購買(mǎi)渠道。
隨著(zhù)科技的不斷進(jìn)步，富士IGBT模塊在設計上更為先進(jìn)，對于其自身的保護措施也不斷完善，其中*為常見(jiàn)就是過(guò)電流保護，而過(guò)電流保護又可以分為過(guò)載保護與短路保護：
1、短路保護：富士IGBT模塊承受的短路電路時(shí)間很短。IGBT短路會(huì )引起IGBT損耗增大，結溫升高，如果結溫突破其*大結溫，則IGBT會(huì )損壞。
2、過(guò)載保護：過(guò)載保護主要是IGBT的負載電流增大引起的IGBT損耗增大，如果損耗增大，突破IGBT的一些極限數值，則IGBT會(huì )損壞。一般選擇、應用IGBT時(shí)均需要一定的余量。因此，IGBT過(guò)載時(shí)可以保護。過(guò)載保護可以通過(guò)檢測直流環(huán)路總電流，達到對IGBT驅動(dòng)電路的控制，進(jìn)而可以實(shí)現在過(guò)載時(shí)，關(guān)斷IGBT。
由于IGBT模塊在IGBT變流器工作過(guò)程要產(chǎn)生功率損耗即內損耗，內損耗引起發(fā)熱，溫度上升，IGBT溫度高低與器件內損耗大小、芯片到環(huán)境的傳熱結構、材料和器件冷卻方式以及環(huán)境溫度等有關(guān)。當發(fā)熱和散熱相等時(shí)，器件達到穩定溫升，處于均衡狀態(tài)，即穩態(tài)。器件的芯片溫度不論在穩態(tài)，還是在瞬態(tài)，都不允許超過(guò)器件的*高允許工作溫度，即IGBT結溫，否則，將引起器件電或熱的不穩定而導致器件失效。
如果遇到了富士IGBT模塊使用中溫升快，效率低的情況，使用者可以參考以下解決方法：
1、減小柵極電阻，可加快開(kāi)關(guān)器件通斷，減小開(kāi)關(guān)損耗從而降低溫度，但不要太小 具體需要調試
2、加適當阻容吸收電路
3、檢查硅膠涂抹、即散熱片、風(fēng)扇等問(wèn)題。