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IGBT在不間斷電源中的應用
日期：2025-06-06 04:25
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摘要：
1.引言
在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易
于驅動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT成
為UPS功率設計的優(yōu)選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進(jìn)行可靠性設計，才能發(fā)揮IGBT的優(yōu)點(diǎn)。本
文介紹UPS中的IGBT的應用情況和使用中的注意事項。
2.IGBT在UPS中的應用情況
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種MOSFET與雙極晶體管復合的器件。它既有功率M...
1.引言
在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易
于驅動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT成
為UPS功率設計的優(yōu)選，只有對IGBT的特性充分了解和對電路進(jìn)行可靠性設計，才能發(fā)揮IGBT的優(yōu)點(diǎn)。本
文介紹UPS中的IGBT的應用情況和使用中的注意事項。
2.IGBT在UPS中的應用情況
絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)是一種MOSFET與雙極晶體管復合的器件。它既有功率MOSFET易于驅動(dòng)，控
制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大，損耗小的顯著(zhù)優(yōu)點(diǎn)。據東芝公
司資料，1200V/100A的IGBT的導通電阻是同一耐壓規格的功率MOSFET的1/10，而開(kāi)關(guān)時(shí)間是同規格GTR的
1/10。由于這些優(yōu)點(diǎn)，IGBT廣泛應用于不間斷電源系統(UPS)的設計中。這種使用IGBT的在線(xiàn)式UPS具有效
率高，抗沖擊能力強、可靠性高的顯著(zhù)優(yōu)點(diǎn)。
UPS主要有后備式、在線(xiàn)互動(dòng)式和在線(xiàn)式三種結構。在線(xiàn)式UPS以其可靠性高，輸出電壓穩定，無(wú)中斷
時(shí)間等顯著(zhù)優(yōu)點(diǎn)，廣泛用于通信系統、稅務(wù)、金融、證券、電力、鐵路、民航、政府機關(guān)的機房中。本文
以在線(xiàn)式為介紹對象，介紹UPS中的IGBT的應用。
在線(xiàn)式UPS電源具有獨立的旁路開(kāi)關(guān)、AC/DC整流器、充電器、DC/AC逆變器等系統，工作原理是：市
電正常時(shí)AC/DC整流器將交流電整流成直流電，同時(shí)對蓄電池進(jìn)行充電，再經(jīng)DC/AC逆變器將直流電逆變?yōu)?
標準正弦波交流電，市電異常時(shí)，電池對逆變器供電，在UPS發(fā)生故障時(shí)將輸出轉為旁路供電。在線(xiàn)式UPS
輸出的電壓和頻率*為穩定，能為用戶(hù)提供真正高質(zhì)量的正弦波電源。
?、倥月烽_(kāi)關(guān)(ACBYPASSSWITCH)
旁路開(kāi)關(guān)常使用繼電器和可控硅。繼電器在中小功率的UPS中廣泛應用。優(yōu)點(diǎn)是控制簡(jiǎn)單，成本低，
缺點(diǎn)是繼電器有轉換時(shí)間，還有就是機電器件的壽命問(wèn)題?？煽毓璩Ｒ?jiàn)于中大功率UPS中。優(yōu)點(diǎn)是控制電
流大，沒(méi)有切換時(shí)間。但缺點(diǎn)就是控制復雜，且由于可控硅的觸發(fā)工作特性，在觸發(fā)導通后要在反向偏置
后才能關(guān)斷，這樣就會(huì )產(chǎn)生一個(gè)*大10ms的環(huán)流電流。如果采用IGBT，則可以避免這個(gè)問(wèn)題，使用IGBT有
控制簡(jiǎn)單的優(yōu)點(diǎn)，但成本較高。其工作原理為：當輸入為正半周時(shí)，電流流經(jīng)Q1、D2，負半周時(shí)電流流經(jīng)
D1、Q2。
?、谡髌鰽C/DC
UPS整流電路分為普通橋堆整流、SCR相控整流和PFC高頻功率因數校正的整流器。傳統的整流器由于
基頻為50HZ，濾波器的體積重量較重，隨著(zhù)UPS技術(shù)的發(fā)展和各國對電源輸入功率因數要求，采用PFC功率
因數校正的UPS日益普及，PFC電路工作的基頻至少20KHZ，使用的濾波器電感和濾波電容的體積重量大大
減少，不必加諧波濾波器就可使輸入功率因數達到0.99，PFC電路中常用IGBT作為功率器件，應用IGBT的
PFC整流器是有效率高、功率容量大、綠色環(huán)保的優(yōu)點(diǎn)。
?、鄢潆娖?
UPS的充電器常用的有反激式、BOOST升壓式和半橋式。大電流充電器中可采用單管IGBT，用于功率控
制，可以取得很高的效率和較大的充電電流。
?、蹹C/AC逆變器
3KVA以上功率的在線(xiàn)式UPS幾乎全部采用IGBT作為逆變部分的功率器件，常用全橋式電路和半橋電路
。
3.IGBT損壞的原因
UPS在使用過(guò)程中，經(jīng)常受到容性或感性負載的沖擊、過(guò)負荷甚至負載短路等，以及UPS的誤操作，可
能導致IGBT損壞。IGBT在使用時(shí)的損壞原因主要有以下幾種情況：
?、龠^(guò)電流損壞;
IGBT有一定抗過(guò)電流能力，但必須注意防止過(guò)電流損壞。IGBT復合器件內有一個(gè)寄生晶閘管，所以有
擎住效應。圖5為一個(gè)IGBT的等效電路，在規定的漏極電流范圍內，NPN的正偏壓不足以使NPN晶體管導通
，當漏極電流大到一定程度時(shí)，這個(gè)正偏壓足以使NPN晶體管開(kāi)通，進(jìn)而使NPN和PNP晶體管處于飽和狀態(tài)
，于是寄生晶閘管開(kāi)通，門(mén)極失去了控制作用，便發(fā)生了擎住效應。IGBT發(fā)生擎住效應后，漏極電流過(guò)大
造成了過(guò)高的功耗，*后導致器件的損壞。
?、谶^(guò)電壓損壞;
IGBT在關(guān)斷時(shí)，由于逆變電路中存在電感成分，關(guān)斷瞬間產(chǎn)生尖峰電壓，如果尖峰電壓過(guò)壓則可能造
成IGBT擊穿損壞。
?、蹣虮酃矊p壞;
?、苓^(guò)熱損壞和靜電損壞。
4.IGBT損壞的解決對策
?、龠^(guò)電流損壞
為了避免IGBT發(fā)生擎住效應而損壞，電路設計中應保證IGBT的*大工作電流應不超過(guò)IGBT的IDM值，
同時(shí)注意可適當加大驅動(dòng)電阻RG的辦法延長(cháng)關(guān)斷時(shí)間，減小IGBT的di/dt。驅動(dòng)電壓的大小也會(huì )影響IGBT
的擎住效應，驅動(dòng)電壓低，承受過(guò)電流時(shí)間長(cháng)，IGBT必須加負偏壓，IGBT生產(chǎn)廠(chǎng)家一般推薦加-5V左右的
反偏電壓。在有負偏壓情況下，驅動(dòng)正電壓在10—15V之間，漏極電流可在5～10μs內超過(guò)額定電流的4～
10倍，所以驅動(dòng)IGBT必須設計負偏壓。由于UPS負載沖擊特性各不相同，且供電的設備可能發(fā)生電源故障
短路，所以在UPS設計中采取限流措施進(jìn)行IGBT的電流限制也是必須的，可考慮采用IGBT廠(chǎng)家提供的驅動(dòng)
厚膜電路。如FUJI公司的EXB841、EXB840，三菱公司的M57959AL，57962CL，它們對IGBT的集電極電壓進(jìn)
行檢測，如果IGBT發(fā)生過(guò)電流，內部電路進(jìn)行關(guān)閉驅動(dòng)。這種辦法有時(shí)還是不能保護IGBT，根據IR公司的
資料，IR公司推薦的短路保護方法是：首先檢測通態(tài)壓降Vce，如果Vce超過(guò)設定值，保護電路馬上將驅動(dòng)
電壓降為8V，于是IGBT由飽和狀態(tài)轉入放大區，通態(tài)電阻增大，短路電路減削，經(jīng)過(guò)4us連續檢測通態(tài)壓
降Vce，如果正常，將驅動(dòng)電壓恢復正常，如果未恢復，將驅動(dòng)關(guān)閉，使集電極電流減為零，這樣實(shí)現短
路電流軟關(guān)斷，可以避免快速關(guān)斷造成的過(guò)大di/dt損壞IGBT，另外根據*新三菱公司IGBT資料，三菱推
出的F系列IGBT的均內含過(guò)流限流電路(RTCcircuit)，當發(fā)生過(guò)電流，10us內將IGBT的啟動(dòng)電壓減為9V，
配合M57160AL驅動(dòng)厚膜電路可以快速軟關(guān)斷保護IGBT。
?、谶^(guò)電壓損壞
防止過(guò)電壓損壞方法有：優(yōu)化主電路的工藝結構，通過(guò)縮小大電流回路的路徑來(lái)減小線(xiàn)路寄生電感;
適當增加IGBT驅動(dòng)電阻Rg使開(kāi)關(guān)速度減慢(但開(kāi)關(guān)損耗也增加了);設計緩沖電路，對尖峰電壓進(jìn)行抑制。
用于緩沖電路中的二極管必須是快恢復的二極管，電容必須是高頻、損耗小，頻率特性好的薄膜電容。這
樣才能取得好的吸收效果。常見(jiàn)電路有耗能式和回饋式緩沖電路?；仞伿接钟袩o(wú)源式和有源式兩種，詳細
電路設計可參見(jiàn)所選用器件的技術(shù)手冊。
?、蹣虮酃矊p壞
在UPS中，逆變橋同臂支路兩個(gè)驅動(dòng)必須是互鎖的，而且應該設置死區時(shí)間(即共同不導通時(shí)間)。如
果發(fā)生共導，IGBT會(huì )迅速損壞。在控制電路應該考慮到各種運行狀況下的驅動(dòng)問(wèn)題控制時(shí)序問(wèn)題。
?、苓^(guò)熱損壞
可通過(guò)降額使用，加大散熱器，涂敷導熱膠，強制風(fēng)扇制冷，設置過(guò)溫度保護等方法來(lái)解決過(guò)熱損壞
的問(wèn)題。此外還要注意安裝過(guò)程中的靜電損壞問(wèn)題，操作人員、工具必須進(jìn)行防靜電保護。
5.結論
?、買(mǎi)GBT兼具有功率MOSFET和GTR的優(yōu)點(diǎn)，是UPS中的充電、旁路開(kāi)關(guān)、逆變器，整流器等功率變換的理
想器件。
?、谥挥泻侠磉\用IGBT，并采取有效的保護方案，才可能提高IGBT在UPS中的可靠性。