99视频精品全部在线观看_北京固力通達機電設備有限公司公司新聞

所在位置: 首頁(yè)> 公司新聞>

產(chǎn)品分類(lèi)

新聞列表

可控硅模塊分類(lèi) 可控硅模塊分類(lèi)可控硅模塊通常被稱(chēng)之為功率半導體模塊(semiconductormodule)。是采用模塊封裝形式，具有三個(gè)PN結的四層結構的大功率半導體器件。分類(lèi)可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)；從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(M... 點(diǎn)擊詳情
開(kāi)關(guān)電源基本介紹開(kāi)關(guān)電源基本介紹開(kāi)關(guān)電源不同于線(xiàn)性電源，開(kāi)關(guān)電源利用的切換晶體管多半是在全開(kāi)模式（飽和區）及全閉模式（截止區）之間切換，這兩個(gè)模式都有低耗散的特點(diǎn)，切換之間的轉換會(huì )有較高的耗散，但時(shí)間很短，因此比較節省能源，產(chǎn)生廢熱較少。理想上，開(kāi)關(guān)電源本身是不會(huì )消耗電能的。電壓穩壓是透過(guò)調整晶體管導通及斷路的時(shí)間來(lái)達到。相反的，線(xiàn)性... 點(diǎn)擊詳情
igbt模塊的測量操作 igbt模塊非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開(kāi)關(guān)電源、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。靜態(tài)測量:把萬(wàn)用表放在乘100檔,測量黑表筆接1端子、紅表筆接2端子,顯示電阻應為無(wú)窮大;表筆對調,顯示電阻應在400歐左右.用同樣的方法,測量黑表筆接3端子、紅表筆接1端子,顯示電阻應... 點(diǎn)擊詳情
LAMBDA電源模塊的基本指標功率P=UI,是輸出電壓和輸出電流的乘積。輸入電壓分交流輸入和直流輸入2種。輸出電壓一般是直流輸出，但也有交流輸出的。工作溫度隔離電壓：隔離就是將輸出與輸入進(jìn)行電路上的分離。有以下幾個(gè)作用：一，電流變換；二，為了防止輸入輸出相互干擾；三，輸入輸出電路的信號特性相差太大，比如用弱信號控制強電的設備封裝尺寸有插針，貼片... 點(diǎn)擊詳情
三菱IGBT功率模塊的功能與類(lèi)別三菱IGBT功率模塊是指采用lC驅動(dòng)，利用*新的封裝技術(shù)將IGBT與驅動(dòng)電路、控制電路和保護電路高度集成在一起的模塊。其類(lèi)別從復合功率模塊PIM發(fā)展到智能功率模塊IPM、電力電子積木PEBB、電力模塊IPEM.三菱IGBT功率模塊的驅動(dòng)電路元件較少，在短路故障時(shí)只要結溫不超過(guò)**工作范圍，驅動(dòng)電路仍可以繼續**工作。... 點(diǎn)擊詳情
可控硅模塊的分類(lèi)與優(yōu)點(diǎn)介紹可控硅模塊從內部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類(lèi)；從具體的用途上區分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機專(zhuān)用模塊... 點(diǎn)擊詳情
工業(yè)開(kāi)關(guān)電源的應用與作用說(shuō)明工業(yè)開(kāi)關(guān)電源產(chǎn)品廣泛應用于工業(yè)自動(dòng)化控制、**設備、科研設備、LED照明、工控設備、通訊設備、電力設備、儀器儀表、醫療設備、半導體制冷制熱、空氣凈化器，電子冰箱，液晶顯示器，LED燈具，通訊設備，視聽(tīng)產(chǎn)品，安防監控，電腦機箱，數碼產(chǎn)品和儀器類(lèi)等領(lǐng)域。工業(yè)開(kāi)關(guān)電源是利用現代電力電子技術(shù)，控制開(kāi)關(guān)管開(kāi)通和關(guān)斷的時(shí)間... 點(diǎn)擊詳情
LAMBDA電源模塊的功能與使用優(yōu)點(diǎn) LAMBDA電源模塊是電壓轉換器件之一。它的主要功能是將交流電和直流電相互轉換。此外，還具有維護方便、設計靈活、節省成本和時(shí)間、大功率、高效率和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)。某種程度上也可以說(shuō)，LAMBDA電源模塊是一個(gè)負反饋的穩壓系統，其性能指標大致可以分為靜態(tài)指標和動(dòng)態(tài)指標。1.靜態(tài)輸出電壓精度:測量模塊的實(shí)際輸出電壓和... 點(diǎn)擊詳情
西門(mén)康IGBT的使用特性說(shuō)明西門(mén)康IGBT是以GTR為主導元件，MOSFET為驅動(dòng)元件的達林頓結構的復合器件。其外部有三個(gè)電極，分別為G-柵極，C-集電極，E-發(fā)射極。在IGBT使用過(guò)程中，可以通過(guò)控制其集-射極電壓UCE和柵-射極電壓UGE的大小，從而實(shí)現對IGBT導通/關(guān)斷/阻斷狀態(tài)的控制。 1）當IGBT柵-射極加上加0或負電壓時(shí)... 點(diǎn)擊詳情
電源模塊簡(jiǎn)介電源模塊簡(jiǎn)介電源模塊是可以直接貼裝在印刷電路板上的電源供應器，其特點(diǎn)是可為專(zhuān)用集成電路（ASIC）、數字信號處理器(DSP)、微處理器、存儲器、現場(chǎng)可編程門(mén)陣列(FPGA)及其他數字或模擬負載提供供電。一般來(lái)說(shuō)，這類(lèi)模塊稱(chēng)為負載(POL)電源供應系統或使用點(diǎn)電源供應系統(PUPS)。由于模塊式結構的優(yōu)點(diǎn)甚多，因此模塊電... 點(diǎn)擊詳情