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預防可控硅元件失控的方法是什么？可控硅勵磁裝置失控的原因是非常多的，經(jīng)常進(jìn)行維護是減少問(wèn)題出現的方法，平時(shí)的時(shí)候一定要對電站進(jìn)行定期的檢查，同時(shí)為了避免設備失控采取有效地方法，下面就為大家詳細的介紹一下預防可控硅元件失控的方法是什么？主要有下面五個(gè)方面。①三相觸發(fā)器輸出脈沖寬度、幅值以及相位正常，要是... 點(diǎn)擊詳情
面向汽車(chē)應用的IGBT功率模塊淺談諸如高環(huán)境溫度、暴露于機械沖擊以及特定的驅動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討。各種工業(yè)應... 點(diǎn)擊詳情
西門(mén)康IGBT模塊在使用中的注意事項西門(mén)康IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點(diǎn)；當前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品，一... 點(diǎn)擊詳情
什么是igbt IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低... 點(diǎn)擊詳情
IGBT在不間斷電源中的應用 1.引言在UPS中使用的功率器件有雙極型功率晶體管、功率MOSFET、可控硅和IGBT，IGBT既有功率MOSFET易于驅動(dòng)，控制簡(jiǎn)單、開(kāi)關(guān)頻率高的優(yōu)點(diǎn)，又有功率晶體管的導通電壓低，通態(tài)電流大的優(yōu)點(diǎn)、使用IGBT成點(diǎn)擊詳情
富士IGBT模塊在富士IGBT模塊的使用過(guò)程中，有時(shí)候需要將兩塊IGBT模塊進(jìn)行并聯(lián)操作，那么這樣做有什么好處呢，接下來(lái)小編簡(jiǎn)單為大家介紹一下。1、降成本的需求。以?xún)牲c(diǎn)平為例，直接購買(mǎi)成品模塊固然可提高產(chǎn)品穩定性，但是相應的成本增加不是一般公司能承受的，使用多模塊并聯(lián)可明顯降低成本。一... 點(diǎn)擊詳情
IGBT 英飛凌IGBT模塊英飛凌IGBT英飛凌IGBT模塊1979年，MOS柵功率開(kāi)關(guān)器件作為IGBT概念的先驅即已被介紹到世間。這種器件表現為一個(gè)類(lèi)晶閘管的結構（P-N-P-N四層組成），其特點(diǎn)是通過(guò)強堿濕法刻蝕工藝形成了V形槽柵。80年代初期，用于功率MOSFET制造技術(shù)的DMOS（雙擴散形... 點(diǎn)擊詳情
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