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產(chǎn)品分類(lèi)

模塊測試

IGBT模塊的散熱技術(shù)發(fā)展 IGBT模塊散熱技術(shù) 散熱的過(guò)程1IGBT在結上發(fā)生功率損耗;2結上的溫度傳導到IGBT模塊殼上; 點(diǎn)擊詳情
面向汽車(chē)應用的IGBT功率模塊淺談諸如高環(huán)境溫度、暴露于機械沖擊以及特定的驅動(dòng)循環(huán)等環(huán)境條件，要求對IGBT功率模塊的機械和電氣特性給予特別的關(guān)注，以便在整個(gè)使用壽命期間能確保其性能得到充分發(fā)揮，并保持很高的可靠性。本文對IGBT的功率和熱循環(huán)、材料選型以及電氣特性等問(wèn)題和故障模式進(jìn)行了探討。各種工業(yè)應... 點(diǎn)擊詳情
西門(mén)康IGBT模塊在使用中的注意事項西門(mén)康IGBT模塊是由IGBT（絕緣柵雙極型晶體管芯片）與FWD（續流二極管芯片）通過(guò)特定的電路橋接封裝而成的模塊化半導體產(chǎn)品；封裝后的IGBT模塊直接應用于變頻器、UPS不間斷電源等設備上，具有節能、安裝維修方便、散熱穩定等特點(diǎn)；當前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的多為此類(lèi)模塊化產(chǎn)品，一... 點(diǎn)擊詳情
什么是igbt IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應管)組成的復合全控型電壓驅動(dòng)式功率半導體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低... 點(diǎn)擊詳情
富士IGBT模塊在富士IGBT模塊的使用過(guò)程中，有時(shí)候需要將兩塊IGBT模塊進(jìn)行并聯(lián)操作，那么這樣做有什么好處呢，接下來(lái)小編簡(jiǎn)單為大家介紹一下。1、降成本的需求。以?xún)牲c(diǎn)平為例，直接購買(mǎi)成品模塊固然可提高產(chǎn)品穩定性，但是相應的成本增加不是一般公司能承受的，使用多模塊并聯(lián)可明顯降低成本。一... 點(diǎn)擊詳情
IGBT自主**促進(jìn)戰略性新興產(chǎn)業(yè)智能化發(fā)展核心提示：功率半導體的發(fā)展始于20世紀50年代，目前已經(jīng)發(fā)展到了第四代，IGBT作為目前廣泛采用的第三代功率半導體核心器件，具備處理大功率功率半導體的發(fā)展始于20世紀50年代，目前已經(jīng)發(fā)展到了第四代，IGBT作為目前廣泛采用的第三代功率半導體核心器件，具備處理大功率能... 點(diǎn)擊詳情
高壓IGBT變頻器的特點(diǎn)及應用變頻器是利用電力半導體器件的通斷作用將工頻電源變換為另一頻率的電能控制裝置。隨著(zhù)現代電力電子技術(shù)和微電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，高壓大功率變頻調速裝置不斷地成熟起來(lái)，原來(lái)一直難于解決的高壓?jiǎn)?wèn)題，近年來(lái)通過(guò)器件串聯(lián)或單元串聯(lián)得到了很好的解決。其應用的領(lǐng)域和范圍也越來(lái)越為廣范，這使... 點(diǎn)擊詳情